产品简介："**型号简介：BSC070N10NS3 G-VB**

**品牌：VBsemi**

**参数：**
- 封装：DFN5X6
- 沟道类型：Single-N
- 漏源电压 (VDS)：100V
- 栅源电压 (VGS)：±20V
- 典型阈值电压 (Vthtyp)：3V
- 栅源电压为10V时的导通电阻 (RDS(on))：5.6mΩ
- 最大漏极电流 (ID)：105A
- 技术：SGT（Shielded Gate Trench）

**产品简介：**
BSC070N10NS3 G-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其DFN5X6封装设计使其在紧凑的空间中也能提供出色的散热性能和电气性能。

**适用领域：**
1. **电源管理模块**：由于其低导通电阻和高电流承载能力，BSC070N10NS3 G-VB非常适合用于高效率的DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统（BMS）中，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**：在电机控制应用中，该MOSFET能够提供高电流输出和快速开关特性，适用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动模块。

3. **汽车电子**：在汽车电子领域，BSC070N10NS3 G-VB可用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）和LED驱动等模块，满足汽车电子对高可靠性和高功率密度的要求。

4. **工业自动化**：在工业自动化设备中，该MOSFET可用于伺服驱动器、变频器和PLC（可编程逻辑控制器）等模块，提供稳定的高功率输出和高效的开关性能。