产品简介："**型号简介：NVMFWS005N10MCLT1G-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Single-N（单N沟道）
- **漏源电压 (VDS)：** 100V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)：** 3V
- **导通电阻 (RDS(on))：** 5.6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)：** 105A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）

**产品简介：**
NVMFWS005N10MCLT1G-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SGT技术，具有极低的导通电阻和高电流承载能力。其100V的漏源电压和±20V的栅源电压范围，使其适用于高功率和高效率的应用场景。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET非常适合用于开关电源、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，能够有效降低功耗并提高转换效率。
2. **电机驱动模块：** 在电机控制应用中，如电动工具、家用电器和工业电机驱动，该MOSFET能够提供高效的功率开关和可靠的性能。
3. **汽车电子：** 适用于汽车中的各种功率管理模块，如电池管理系统 (BMS)、车载充电器和逆变器，满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求。
4. **工业自动化：** 在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器，该MOSFET能够提供稳定的功率开关和高效的能量转换。