产品简介："**型号简介：NVMFS005N10MCLT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single-N**
**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（阈值电压）：3V**
- **RDS(ON)（导通电阻）：5.6mΩ @ VGS=10V**
- **ID（最大漏极电流）：105A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

**产品特点：**
NVMFS005N10MCLT1G-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有极低的导通电阻（5.6mΩ）和高电流承载能力（105A），适用于高效率、高功率密度的应用场景。其 100V 的漏源电压和 ±20V 的栅源电压范围，使其在多种电源和驱动电路中表现出色。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 电源等，能够显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. **电机驱动模块：**
- 可用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动电路，提供高电流输出和快速开关性能。
3. **工业自动化：**
- 适用于工业控制设备中的功率开关和驱动电路，满足高可靠性和高效率的需求。
4. **新能源领域：**
- 可用于太阳能逆变器、储能系统等，支持高电压和高电流的工作环境。
5. **汽车电子：**
- 适用于车载充电器、电池管理系统（BMS）等，满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求。