产品简介："**型号简介：NVMFS6B05NLT1G-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Single-N
- **漏源电压 (VDS)：** 100V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)：** 3V
- **导通电阻 (RDS(on))：** 5.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)：** 105A
- **技术：** SGT (Shielded Gate Trench)

**产品简介：**
NVMFS6B05NLT1G-VB 是一款由 VBsemi 推出的高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT (Shielded Gate Trench) 技术，具有极低的导通电阻和高电流承载能力。该器件在 10V 栅源电压下的导通电阻仅为 5.6mΩ，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。其 100V 的漏源电压和 105A 的漏极电流使其在高功率应用中表现出色。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：** 适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电源开关模块，能够有效降低功耗并提高电源系统的整体效率。
2. **电机驱动模块：** 适用于电动工具、工业电机驱动和电动汽车中的电机控制模块，提供高电流承载能力和低导通损耗。
3. **电池管理系统 (BMS)：** 适用于电动汽车、储能系统和便携式设备中的电池保护电路，确保电池的高效充放电管理。
4. **LED 驱动模块：** 适用于高亮度 LED 驱动电路，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
5. **工业自动化：** 适用于工业控制设备中的功率开关和驱动电路，确保设备的高可靠性和长寿命。