产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NVMFS6B05NLWFT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single-N**
**VDS（漏源电压）：100V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：3V**
**VGS=10V时RDS(ON)：5.6mΩ**
**ID（最大漏极电流）：105A**
**技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

NVMFS6B05NLWFT1G-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SGT技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）和高电流承载能力。其100V的漏源电压和±20V的栅源电压范围使其适用于多种高功率应用场景。该器件采用DFN5X6封装，具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合空间受限的设计。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NVMFS6B05NLWFT1G-VB 适用于高效率的DC-DC转换器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在降压、升压和反激式转换器中表现出色，特别适用于服务器电源、通信电源和工业电源。

2. **电机驱动模块**
该MOSFET适用于电机驱动模块，特别是在需要高电流和高电压的场合，如电动工具、家用电器和工业电机控制。其高电流承载能力和低导通电阻确保了电机的高效运行和低热损耗。

3. **汽车电子模块**
在汽车电子领域，NVMFS6B05NLWFT1G-VB 可用于电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）。其高可靠性和宽温度范围使其适合严苛的汽车环境。