产品简介："**型号简介：NVMFS6B05NLWFT3G-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 3V
- **RDS(on)（导通电阻）：** 5.6mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏极电流）：** 105A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench）技术

**产品简介：**
NVMFS6B05NLWFT3G-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFN5X6，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理和功率转换领域。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，NVMFS6B05NLWFT3G-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器以及电池管理系统中的电源开关和同步整流模块。

2. **电机驱动模块：** 在电机控制应用中，该 MOSFET 可以用于驱动电机的高效开关，适用于电动工具、家用电器、工业自动化设备等领域的电机驱动模块。

3. **LED 驱动模块：** 由于其高效率和低功耗特性，NVMFS6B05NLWFT3G-VB 也适用于 LED 照明驱动模块，特别是在需要高亮度和高效率的 LED 驱动电路中。

4. **汽车电子模块：** 该 MOSFET 的高电压和高电流特性使其非常适合用于汽车电子中的电源管理、电机驱动和 LED 驱动模块，如电动汽车的电池管理系统、车载充电器等