产品简介："**型号简介：NVMFS6B05NLT3G-VB**

**品牌：VBsemi**

**参数：**
- **封装：** DFN5X6
- **沟道类型：** Single-N
- **漏源电压 (VDS)：** 100V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)：** 3V
- **导通电阻 (RDS(on))：** 5.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)：** 105A
- **技术：** SGT (Shielded Gate Trench)

**产品简介：**
NVMFS6B05NLT3G-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件在 10V 栅源电压下的导通电阻仅为 5.6mΩ，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。其 100V 的漏源电压和 105A 的漏极电流使其适用于高功率应用场景。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，NVMFS6B05NLT3G-VB 非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统（BMS）等电源管理模块。
2. **电机驱动模块：** 该 MOSFET 可用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和高电压的场合，如电动工具、工业电机控制和电动汽车的电机驱动系统。
3. **逆变器和变频器：** 在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和变频器等设备中，NVMFS6B05NLT3G-VB 能够提供高效的功率转换和稳定的性能。
4. **汽车电子：** 由于其高可靠性和耐高温特性，该器件也适用于汽车电子中的动力系统、车载充电器和 LED 驱动等模块。