产品简介："### 型号应用简介

**FDMS86150-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **DFN5X6** 封装。该器件具有 **100V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS），典型阈值电压（Vthtyp）为 **3V**。在 **VGS=10V** 时，其导通电阻（RDS(on)）仅为 **5.6mΩ**，最大漏极电流（ID）可达 **105A**。该 MOSFET 采用了 **SGT（Shielded Gate Trench）** 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效率和高功率密度的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N（单N沟道）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：3V
- **导通电阻（RDS(on)）**：5.6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：105A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：高效率DC-DC转换器、同步整流器
- **说明**：FDMS86150-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电源管理模块中的同步整流和DC-DC转换器。其低导通损耗和高开关速度有助于提高整体电源效率，特别是在高功率密度应用中。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、无人机、工业电机驱动
- **说明**：在电机驱动模块中，FDMS86150-VB 的高电流能力和低导通电阻使其能够有效驱动高功率电机。