产品简介："**型号简介：FDMS86152-VB**

**品牌：** VBsemi
**封装：** DFN5X6
**沟道类型：** Single-N
**主要参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 3V
- **RDS(on)（导通电阻）：** 5.6mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏极电流）：** 105A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench）技术

**产品简介：**
FDMS86152-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻（5.6mΩ @ VGS=10V）和高电流承载能力（105A），适用于高效率、高功率密度的应用场景。其100V的漏源电压和±20V的栅源电压范围，使其在多种高压、高电流环境中表现出色。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于高效率的DC-DC转换器、同步整流电路和电源逆变器，特别是在需要高电流和低损耗的场合。

2. **电机驱动模块：**
- 可用于电动工具、工业电机驱动、电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电机控制系统，提供高效的功率转换和驱动能力。

3. **电池管理系统（BMS）：**
- 适用于锂电池保护电路、充放电控制模块，确保电池在高电流充放电时的安全性和稳定性。

4. **工业自动化：**
- 适用于工业机器人、自动化设备中的功率开关和驱动电路，提供可靠的功率控制和高效的能量转换。