产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NTMFS6B03NT3G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single-N**
**VDS（漏源电压）：100V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（阈值电压）：3V**
**VGS=10V时的导通电阻：5.6mΩ**
**ID（漏极电流）：105A**
**技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

### 产品详细参数说明

NTMFS6B03NT3G-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为DFN5X6，适合高密度PCB布局。该器件适用于高电压、高电流的应用场景，能够在100V的漏源电压下稳定工作，且栅源电压范围为±20V，阈值电压为3V。在VGS=10V时，导通电阻仅为5.6mΩ，能够有效降低功耗，提升系统效率。漏极电流高达105A，适合大功率应用。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
NTMFS6B03NT3G-VB 适用于开关电源、DC-DC转换器和AC-DC转换器等电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源设计中表现出色，能够有效降低功耗，提升电源转换效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，该MOSFET可用于驱动高功率电机，如电动工具、工业电机和电动汽车中的电机控制器。其高电流承载能力和低导通电阻使其在电机驱动应用中能够提供稳定的性能和高效率。