产品简介："**型号简介：NTMFS6B03NT1G-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（阈值电压）：3V**
- **RDS(on)（导通电阻）：5.6mΩ @ VGS=10V**
- **ID（漏极电流）：105A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

**产品简介：**
NTMFS6B03NT1G-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFN5X6，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理及功率转换领域。

**适用领域：**
1. **电源管理模块**：适用于高效率的 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电池管理系统（BMS），能够有效降低功耗并提升系统效率。
2. **电机驱动模块**：适合用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动电路，提供高电流输出和快速开关性能。
3. **工业自动化**：可用于工业控制设备中的功率开关和逆变器模块，确保设备在高负载条件下稳定运行。
4. **汽车电子**：适用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和电动车辆（EV）的功率驱动模块，满足汽车级高可靠性和高温度环境要求。
5. **消费电子**：适合用于大功率消费电子产品，如游戏机、高性能笔记本电脑等，提供高效的电源管理解决方案。