产品简介："### 型号应用简介

**NVMFS6B03NWFT3G-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高功率密度和高效率的应用场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护等领域。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：3V
- **导通电阻 (RDS(on))**：5.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：105A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器
- **说明**：NVMFS6B03NWFT3G-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功耗，提高转换效率。适用于服务器电源、通信电源等高功率密度应用。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：该 MOSFET 的高电流能力和快速开关特性使其非常适合用于电机驱动模块，能够提供稳定的驱动电流，确保电机高效运行。适用于电动工具、家用电器（如洗衣机、冰箱）以及工业电机控制系统。