产品简介："**型号简介：FDWS86068-F085-VB**

**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single N-Channel**
**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（典型阈值电压）：3V**
- **RDS(ON)（导通电阻）：5.6mΩ @ VGS=10V**
- **ID（最大漏极电流）：105A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

**产品特点：**
FDWS86068-F085-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻（5.6mΩ @ VGS=10V）和高电流承载能力（105A）。其100V的漏源电压和±20V的栅源电压范围，使其在高功率应用中表现出色。此外，该器件采用DFN5X6封装，具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度设计。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块**：适用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器和开关电源模块，能够有效降低功耗并提升系统效率。
2. **电机驱动模块**：适合用于电动工具、无人机、电动汽车等领域的电机驱动模块，提供高电流输出和低导通损耗。
3. **工业自动化**：可用于工业控制设备中的功率开关和逆变器模块，满足高可靠性和高功率需求。
4. **新能源领域**：适用于太阳能逆变器、储能系统等新能源设备中的功率开关模块，提升系统整体性能。
5. **消费电子**：可用于大功率充电器、适配器等消费电子产品，提供高效、稳定的功率输出。