产品简介："**型号简介：STL120N10F8-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（典型阈值电压）：3V**
- **RDS(on)（导通电阻）：5.6mΩ @ VGS=10V**
- **ID（最大漏极电流）：105A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

**产品简介：**
STL120N10F8-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻（5.6mΩ @ VGS=10V）和高电流承载能力（105A）。其封装形式为 DFN5X6，适合高密度 PCB 布局设计。

**适用领域：**
1. **电源管理模块**：由于其低导通电阻和高电流承载能力，STL120N10F8-VB 非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电源开关模块。
2. **电机驱动模块**：在电机驱动应用中，该 MOSFET 能够提供高效的功率转换和稳定的性能，适用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机控制。
3. **工业自动化**：在工业自动化设备中，STL120N10F8-VB 可用于高功率开关电路、逆变器和电机控制模块，确保设备的高效运行和可靠性。
4. **汽车电子**：该器件适用于汽车电子中的电源管理系统、电机驱动和电池管理系统（BMS），满足汽车行业对高可靠性和高效率的要求。
5. **消费电子**：在消费电子产品中，如大功率充电器、适配器和 LED 驱动电源，STL120N10F8-VB 能够提供高效的功率管理和稳定的性能。