产品简介："### 型号应用简介

STL115N10F7AG-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能。该器件适用于高功率密度和高效率的应用场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制和汽车电子等领域。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6（5mm x 6mm），紧凑型封装，适合空间受限的设计。
- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道），适用于高侧或低侧开关应用。
- **VDS（漏源电压）**：100V，能够承受较高的电压应力。
- **VGS（栅源电压）**：±20V，提供宽泛的驱动电压范围。
- **Vthtyp（阈值电压）**：3V，确保在低电压下可靠开启。
- **RDS(on)（导通电阻）**：5.6mΩ @ VGS=10V，极低的导通损耗，提升系统效率。
- **ID（漏极电流）**：105A，支持高电流负载。
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench），优化了开关速度和导通电阻。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、服务器电源。
- **优势**：低导通电阻和高电流能力使得 STL115N10F7AG-VB 在电源转换中能够显著降低功耗，提升整体效率。其紧凑的 DFN5X6 封装也适合高密度电源设计。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、无人机、工业电机控制。
- **优势**：高电流承载能力和快速的开关速度使其在电机驱动中表现出色，能够有效控制电机的启动、停止和调速，同时减少热量产生。