产品简介："**型号简介：IPD90N08S4-05-VB**

**品牌：VBsemi**
**封装：TO252**
**沟道类型：Single-N**
**主要参数：**
- **VDS（漏源电压）：80V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（阈值电压）：3V**
- **RDS(on)（导通电阻）：4.6mΩ @ VGS=10V**
- **ID（最大漏极电流）：120A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

**产品简介：**
IPD90N08S4-05-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻（4.6mΩ @ VGS=10V）和高电流承载能力（120A），适用于高效率、高功率密度的应用场景。其 SGT（Shielded Gate Trench）技术进一步优化了开关性能和热管理，使其在高频开关应用中表现出色。

**适用领域：**
1. **电源模块：**
- 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 电源等高效电源模块，能够显著降低功耗并提升系统效率。

2. **电机驱动：**
- 可用于电动工具、工业电机驱动、电动车控制器等领域的电机驱动模块，提供高电流输出和低损耗的驱动能力。

3. **汽车电子：**
- 适用于汽车电子中的电源管理、电机控制、LED 驱动等模块，满足汽车级高可靠性和高效率的要求。

4. **工业控制：**
- 适用于工业自动化设备中的功率开关、逆变器、伺服驱动器等模块，提供稳定的高功率输出。