产品简介："### 型号应用简介

IPD053N08N3 G-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 VDS 为 80V，VGS 为 ±20V，Vthtyp 为 3V，在 VGS=10V 时，导通电阻仅为 4.6mΩ，最大电流 ID 可达 120A。该器件采用 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有优异的开关性能和热稳定性，适用于高效率、高功率密度的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: IPD053N08N3 G-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: TO252
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **VDS（漏源电压）**: 80V
- **VGS（栅源电压）**: ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**: 3V
- **RDS(on)（导通电阻）**: 4.6mΩ @ VGS=10V


### 应用领域与模块

1. **电源模块**
IPD053N08N3 G-VB 适用于高效率开关电源模块，如服务器电源、通信电源和工业电源。其低导通电阻和高电流承载能力可以有效降低功耗，提升系统效率。例如，在 48V 输入的 DC-DC 转换器中，该器件可以作为主开关管，提供稳定的电流输出。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动领域，该 MOSFET 可用于电动工具、无人机和电动汽车的电机控制器中。其高电流能力和快速开关特性使其能够高效驱动大功率电机，同时减少发热和能量损耗。例如，在电动自行车的无刷直流电机驱动器中，IPD053N08N3 G-VB 可以作为功率开关管，提供稳定的动力输出。