产品简介："**型号简介：IPD096N08N3 G-VB**

IPD096N08N3 G-VB 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有优异的电气性能和可靠性。该器件的主要参数包括：漏源电压（VDS）为 80V，栅源电压（VGS）范围为 ±20V，典型阈值电压（Vthtyp）为 3V，在 VGS=10V 时导通电阻（RDS(on)）仅为 4.6mΩ，最大漏极电流（ID）可达 120A。采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，进一步提升了开关效率和热性能。

**适用领域及模块：**

1. **电源模块**：IPD096N08N3 G-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块以及同步整流电路。其低导通电阻和高电流能力使其在电源管理系统中表现出色，能够有效降低功耗并提升整体效率。

2. **电机驱动模块**：该器件非常适合用于电机驱动模块，如电动工具、无人机、工业自动化设备中的电机控制。其高电流承载能力和快速开关特性能够满足电机驱动对高功率和高响应速度的需求。

3. **汽车电子**：在汽车电子领域，IPD096N08N3 G-VB 可用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向（EPS）等模块。其高可靠性和耐压特性使其能够适应汽车电子严苛的工作环境。

4. **工业设备**：在工业设备中，该器件可用于变频器、伺服驱动器以及 UPS 系统等模块，提供稳定的功率开关支持，确保设备的高效运行。