产品简介："**型号简介：FDD86367-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：TO252**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Single-N
- **漏源电压 (VDS)：** 80V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)：** 3V
- **导通电阻 (RDS(on))：** 4.6mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)：** 120A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench）

**产品简介：**
FDD86367-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，能够在高电压和高电流条件下提供优异的开关性能和热稳定性。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，FDD86367-VB 非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器以及开关电源（SMPS）等电源管理模块。
2. **电机驱动模块：** 该器件的高电流能力和快速开关特性使其成为电机驱动模块的理想选择，适用于电动工具、家用电器、工业电机控制等领域。
3. **电池管理系统（BMS）：** 在电动汽车、电动自行车和储能系统中，FDD86367-VB 可用于电池保护电路和充放电控制模块，确保系统的高效和安全运行。
4. **LED 驱动模块：** 该 MOSFET 也可用于高功率 LED 驱动模块，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。