产品简介："### 型号应用简介

**STD110N8F6-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高电流、高效率的功率转换应用。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: STD110N8F6-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: TO252
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 4.6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块举例

1. **开关电源（SMPS）**
- **应用说明**: STD110N8F6-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的主开关管或同步整流器。其 SGT 技术可显著降低开关损耗，提升整体效率。
- **典型模块**: 服务器电源、通信电源、工业电源模块。

2. **电机驱动**
- **应用说明**: 在电机驱动电路中，该 MOSFET 可用于 H 桥或三相逆变器中的功率开关，支持高电流输出和快速开关频率，适用于电动工具、无人机电机驱动等场景。
- **典型模块**: 电动工具控制器、无人机电调模块、工业电机驱动器。