产品简介："**型号简介：AON6278-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**主要参数：**
- **沟道类型**：Single-N（单N沟道）
- **漏源电压（VDS）**：80V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：3V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V时：12mΩ
- VGS=10V时：4.5mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：80A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
AON6278-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 DFN5X6 封装设计紧凑，适合高密度电路板布局。该器件在低栅极驱动电压下表现出优异的导通性能，适用于高效率、高功率密度的应用场景。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块**：由于其低导通电阻和高电流承载能力，AON6278-VB 非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和同步整流模块，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**：在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用于驱动直流电机、步进电机或伺服电机，提供高效的功率控制和快速开关响应。

3. **电池管理系统（BMS）**：AON6278-VB 可用于电池保护电路和充放电控制模块，确保电池在安全电压和电流范围内工作，延长电池寿命。

4. **工业自动化**：在工业控制系统中，该器件可用于高功率开关、继电器驱动和负载开关等应用，提供可靠的功率控制和保护功能。

5. **汽车电子**：AON6278-VB 适用于汽车电子中的电源分配、电机控制和 LED 驱动等模块，满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求
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