产品简介："**型号简介：AON6282-VB**

**品牌：** VBsemi
**封装：** DFN5X6
**沟道类型：** Single-N
**主要参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 80V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 3V
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：12mΩ
- VGS=10V时：4.5mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 80A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
AON6282-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其80V的漏源电压和80A的最大漏极电流使其非常适合高功率应用场景。此外，该器件在低栅源电压下表现出优异的导通性能，能够在4.5V和10V的栅源电压下分别实现12mΩ和4.5mΩ的低导通电阻。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于高效率的DC-DC转换器、同步整流器和开关电源模块，尤其是在需要高电流和低导通损耗的应用中。

2. **电机驱动模块：**
- 可用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动电路，提供高效的能量转换和稳定的电流输出。

3. **汽车电子模块：**
- 适用于汽车中的电源管理系统、LED驱动、电池管理系统（BMS）等，满足汽车电子对高可靠性和高功率密度的要求。

4. **工业控制模块：**
- 可用于工业自动化设备中的功率开关、逆变器和电机控制模块，确保设备在高负载下稳定运行。