产品简介："**型号简介：STL130N8F7-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Single-N
- **漏源电压 (VDS)：** 80V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)：** 3V
- **导通电阻 (RDS(on))：**
- VGS=4.5V 时：12 mΩ
- VGS=10V 时：4.5 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)：** 80A
- **技术：** Trench

**产品简介：**
STL130N8F7-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件在 4.5V 和 10V 的栅源电压下分别表现出 12 mΩ 和 4.5 mΩ 的低导通电阻，适用于高效率的电源管理和功率转换应用。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，STL130N8F7-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统等电源管理模块。
2. **电机驱动模块：** 该器件的高电流能力和低导通电阻使其成为电机驱动模块的理想选择，特别是在需要高效能和高可靠性的应用中，如电动工具、无人机和电动汽车的电机控制。
3. **工业自动化：** 在工业自动化设备中，STL130N8F7-VB 可以用于高功率开关和控制系统，确保设备的高效运行和稳定性。
4. **消费电子：** 该器件也适用于消费电子产品中的功率管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源适配器。