产品简介："**型号简介：STL125N8F7AG-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Single-N（N沟道）
- **漏源电压（VDS）：** 80V
- **栅源电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vthtyp）：** 3V
- **导通电阻（RDS(on)）：**
- VGS=4.5V时：12mΩ
- VGS=10V时：4.5mΩ
- **最大漏极电流（ID）：** 80A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
STL125N8F7AG-VB是VBsemi推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其DFN5X6封装设计紧凑，适合高密度PCB布局，适用于高效率、高功率的应用场景。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，STL125N8F7AG-VB非常适合用于DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统中的电源开关模块。
2. **电机驱动模块：** 在电机驱动应用中，该MOSFET能够提供高效的功率转换和稳定的电流输出，适用于电动工具、无人机和工业自动化设备中的电机驱动模块。
3. **LED驱动模块：** 在LED照明系统中，STL125N8F7AG-VB可以用于LED驱动电路，提供稳定的电流控制和高效率的功率转换。
4. **汽车电子模块：** 由于其高耐压和高可靠性，该MOSFET适用于汽车电子中的电源管理、电机控制和LED驱动模块，满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求。