产品简介："**型号简介：STL100N8F7-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 80V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 3V
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：12mΩ
- VGS=10V时：4.5mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 80A
- **技术：** Trench（沟槽技术）

**产品简介：**
STL100N8F7-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为DFN5X6，适合高密度PCB布局，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，STL100N8F7-VB 非常适合用于电源管理模块，如DC-DC转换器、开关电源和电池管理系统。
2. **电机驱动模块：** 该MOSFET的高电流和低导通电阻特性使其成为电机驱动模块的理想选择，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制。
3. **LED驱动模块：** 在LED照明应用中，STL100N8F7-VB 可以用于高效的LED驱动电路，确保稳定的电流输出和低功耗。
4. **汽车电子模块：** 由于其高耐压和高可靠性，该MOSFET适用于汽车电子中的各种模块，如电动助力转向系统、车载充电器和电池管理系统。
5. **工业控制模块：** 在工业控制领域，STL100N8F7-VB 可以用于各种高功率开关电路，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业电源。