产品简介："### 型号应用简介

AOD66920-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。其独特的设计基于 SGT（Shielded Gate Trench）技术，能够在高电压和高电流条件下提供优异的性能表现。该器件适用于多种高功率应用场景，尤其是在需要高效能量转换和低损耗的领域。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: AOD66920-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: TO252
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：14.5 mΩ
- VGS=10V 时：11.5 mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 55A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
AOD66920-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中。例如，在服务器电源、通信基站电源以及工业电源模块中，该器件可以有效降低能量损耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、家用电器（如洗衣机、冰箱）以及工业电机控制系统中，AOD66920-VB 能够提供稳定的高电流输出，同时减少发热，延长设备寿命。