产品简介："**型号简介：IPD082N10N3 G-VB**

IPD082N10N3 G-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，封装为 TO252。该器件具有优异的电气特性，适合多种高功率应用场景。

**主要参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（阈值电压）：** 1.8V
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V 时：14.5mΩ
- VGS=10V 时：11.5mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 55A

**应用领域：**
1. **电源模块：**
IPD082N10N3 G-VB 适用于高效率的开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其在电源设计中能够显著降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动：**
该器件可用于电机驱动模块，如电动工具、家用电器（如洗衣机、冰箱）和工业电机控制系统。其高电流承载能力和快速开关特性使其在电机控制中表现出色。

3. **汽车电子：**
在汽车电子领域，IPD082N10N3 G-VB 可用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）和 LED 驱动模块。其高可靠性和耐压特性使其适合严苛的汽车环境。

4. **工业控制：**
适用于工业自动化设备中的功率开关模块，如 PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和逆变器。其低导通电阻和高效率有助于降低系统发热，提升设备稳定性。