产品简介："**型号简介：IPD122N10N3 G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：TO252**
**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 1.8V
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：14.5mΩ
- VGS=10V时：11.5mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 55A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）

**产品特点：**
IPD122N10N3 G-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的SGT技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力（55A），适用于高效率、高功率密度的应用场景。其TO252封装设计紧凑，便于集成到各种模块中。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，能够有效降低功耗，提升系统效率。
2. **电机驱动模块：**
- 可用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动电路，提供高电流输出和快速开关性能。
3. **汽车电子模块：**
- 适用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）以及LED驱动等，满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求。
4. **工业控制模块：**
- 可用于工业自动化设备、伺服驱动器、逆变器等，支持高功率密度和稳定运行。