产品简介："### 型号应用简介

**FDD86110-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **TO252** 封装。
### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：N沟道
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：14.5mΩ
- VGS=10V：11.5mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：55A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源转换模块**：
- **应用**：FDD86110-VB 适用于 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 电源适配器**。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源转换中表现出色，尤其是在需要高功率密度的场合。
- **模块**：可用于 **同步整流模块** 和 **降压/升压转换器模块**，特别是在 **服务器电源** 和 **工业电源** 中。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该器件适用于 **电机驱动电路**，尤其是在 **电动工具**、**家用电器** 和 **工业电机** 中。其高电压和电流能力使其能够有效驱动各种类型的电机。
- **模块**：可用于 **BLDC（无刷直流电机）驱动模块** 和 **步进电机驱动模块**，特别是在需要高效率和低功耗的应用中。