产品简介："### 型号应用简介

STD100N10F7-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高功率和高效率的应用场景。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力（ID=55A），能够在高电压（VDS=100V）下稳定工作。其低阈值电压（Vthtyp=1.8V）和优化的栅极驱动特性（VGS=±20V）使其在开关电源、电机驱动和功率转换等领域表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：14.5 mΩ
- VGS=10V 时：11.5 mΩ
- **漏极电流（ID）**：55A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **开关电源**：
- **应用场景**：STD100N10F7-VB 适用于高效率的开关电源设计，如服务器电源、通信电源和工业电源模块。
- **模块示例**：在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于同步整流或主开关，显著降低导通损耗，提升整体效率。

2. **电机驱动**：
- **应用场景**：该器件适用于电动工具、家用电器和工业电机驱动系统。
- **模块示例**：在无刷直流电机（BLDC）驱动器中，STD100N10F7-VB 可作为功率开关，提供高电流承载能力和快速开关特性，确保电机运行平稳且高效。