产品简介："### 型号应用简介

STD80N10F7-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。
---

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
该封装具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高功率密度设计。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道 MOSFET，适用于需要低导通电阻和高开关速度的电路。

- **VDS（漏源电压）**：100V
支持高达 100V 的工作电压，适合中高压应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极驱动电压范围宽，兼容多种驱动电路设计。

- **Vthtyp（阈值电压）**：1.8V
低阈值电压使其在低电压驱动下也能高效工作。

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时，RDS(on) = 14.5mΩ
- VGS=10V 时，RDS(on) = 11.5mΩ


---

### 应用领域及模块举例

1. **开关电源（SMPS）**
STD80N10F7-VB 的低导通电阻和高开关频率特性使其非常适合用于开关电源模块，尤其是高效率的 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源适配器。其低损耗特性有助于提高整体电源效率，减少发热。

2. **电机驱动**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或 BLDC 电机。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够高效控制电机转速和扭矩，同时减少能量损耗。

3. **功率转换模块**
适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和电池管理系统中的功率转换模块。其高电压和电流能力使其能够处理大功率负载，同时 SGT 技术确保了高效的热管理。