产品简介："**型号简介：STD85N10F7AG-VB**

STD85N10F7AG-VB 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有优异的电气性能和可靠性。该器件适用于多种高功率、高效率的应用场景，具体参数如下：

- **VDS（漏源电压）**：100V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vth（阈值电压）**：1.8V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：14.5mΩ
- VGS=10V 时：11.5mΩ
- **ID（最大漏极电流）**：55A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）

**适用领域及模块：**

1. **电源管理模块**：
STD85N10F7AG-VB 适用于开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 电源等高效电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力可显著降低功耗，提升系统效率。

2. **电机驱动模块**：
该器件适用于电动工具、家用电器、工业电机等领域的电机驱动模块。其高电流承载能力和快速开关特性可确保电机的高效运行和精确控制。

3. **汽车电子模块**：
在汽车电子领域，STD85N10F7AG-VB 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）等模块。其高可靠性和耐压特性使其能够适应汽车电子严苛的工作环境。

4. **工业控制模块**：
适用于工业自动化设备中的功率开关、逆变器、伺服驱动器等模块。其 SGT 技术提供了优异的开关性能和热管理能力，适合高频率、高功率的应用场景。