产品简介："### 型号应用简介

**BSC098N10NS5-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率、高功率密度的电源转换和电机驱动应用。其封装为 DFN5X6，体积小巧，适合空间受限的设计。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N（N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：11.5 mΩ
- VGS=10V 时：9.5 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：55A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源转换模块**
BSC098N10NS5-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器和同步整流电路。例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源模块中，该器件可以有效降低功耗，提升系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机控制器和家用电器（如洗衣机、冰箱压缩机）中，BSC098N10NS5-VB 能够提供稳定的高电流输出，同时减少发热，延长设备寿命。

3. **新能源领域**
在太阳能逆变器和电动汽车充电桩中，该 MOSFET 可用于功率开关和能量管理模块，帮助实现高效的能量转换和分配。