产品简介："### 型号应用简介

BSC123N10LS G-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**：BSC123N10LS G-VB
- **品牌**：VBsemi
- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N
- **VDS（漏源电压）**：100V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：2.5V
- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：11.5mΩ
- VGS=10V 时：9.5mΩ（低导通电阻，减少功率损耗）

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
BSC123N10LS G-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源中，该器件可以有效降低功率损耗，提升系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机驱动和工业电机控制，BSC123N10LS G-VB 的高开关速度和低导通电阻能够显著减少开关损耗和热损耗，提升电机驱动效率。

3. **逆变器模块**
该器件适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和电动汽车逆变器等场景。其高耐压（100V）和高电流（55A）特性使其能够满足逆变器的高功率需求，同时 SGT 技术优化了开关性能，提高了系统可靠性。