产品简介："### 型号应用简介

BSC118N10NS G-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高开关效率的特点。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**：BSC118N10NS G-VB
- **品牌**：VBsemi
- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N（N 沟道）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：2.5V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：11.5mΩ
- VGS=10V 时：9.5mΩ
- **漏极电流（ID）**：55A


### 应用领域与模块

1. **开关电源（SMPS）**
BSC118N10NS G-VB 的低导通电阻和高开关效率使其非常适合用于开关电源模块，尤其是在高功率密度设计中。它可以用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及服务器电源等场景，能够有效降低功率损耗，提升整体效率。

2. **电机驱动**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 的高耐压和大电流特性使其能够胜任高功率电机的控制任务。例如，它可以用于电动工具、工业电机驱动以及电动汽车的电机控制器中，提供稳定的功率输出和高效的能量转换。

3. **太阳能逆变器**
太阳能逆变器需要高效、可靠的功率器件来将直流电转换为交流电。BSC118N10NS G-VB 的低导通电阻和高耐压特性使其成为太阳能逆变器中的理想选择，能够显著降低能量损耗，提升系统效率。