产品简介："### 型号应用简介

**BSC100N10NSF G-VB** 是由 **VBsemi** 推出的高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 **SGT（Shielded Gate Trench）技术**，具有低导通电阻和高电流承载能力。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 设计。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道 MOSFET，适用于高侧或低侧开关应用。

- **VDS**：100V
漏源电压高达 100V，适用于中高压电源系统。

- **VGS**：±20V
栅源电压范围为 ±20V，提供宽电压操作窗口，适用于多种驱动电路。

- **Vthtyp**：2.5V
典型阈值电压为 2.5V，确保低电压驱动下的高效开关。

- **RDS(on)**：
- VGS=4.5V 时，导通电阻为 11.5mΩ
- VGS=10V 时，导通电阻为 9.5mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。



### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
BSC100N10NSF G-VB 适用于 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 电源适配器**。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效电源转换中表现出色，尤其适合用于 **服务器电源**、**通信设备电源** 和 **工业电源模块**。

2. **电机驱动模块**
该器件可用于 **BLDC（无刷直流电机）驱动** 和 **步进电机驱动** 模块。其高 VDS 和 ID 能力使其能够处理电机启动时的高电流需求，同时低 RDS(on) 减少了功率损耗，提高了电机驱动的效率。