产品简介："### 型号应用简介

IRLH5030-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。
- **型号名称**: IRLH5030-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: N 沟道（Single-N）
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：11.5mΩ
- VGS=10V 时：9.5mΩ


### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
IRLH5030-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和同步整流电路。在这些应用中，MOSFET 的高效率能够显著降低功率损耗，提升整体系统性能。例如，在服务器电源、通信基站电源等高功率密度场景中，IRLH5030-VB 可以作为主开关管或同步整流管使用。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动领域，IRLH5030-VB 的高电流能力和快速开关特性使其适用于电动工具、无人机、电动汽车等设备的电机控制器。其低导通电阻可以减少发热，延长设备寿命，同时提高驱动效率。例如，在电动自行车的电机控制器中，IRLH5030-VB 可以作为 H 桥电路的关键元件，实现高效的能量转换。