产品简介："**型号简介：DMT10H010LPS-VB**

**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single-N**
**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（阈值电压）：2.5V**
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：11.5mΩ
- VGS=10V时：9.5mΩ
- **ID（最大漏极电流）：55A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

**产品特点：**
DMT10H010LPS-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SGT技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力（55A），适用于高功率密度和高效率的应用场景。其100V的耐压能力和±20V的栅源电压范围，使其在多种电源管理和开关电路中表现出色。

**适用领域：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等模块，能够有效降低功耗，提升系统效率。

2. **电机驱动模块：**
- 可用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动电路，提供高效的功率控制和稳定的电流输出。

3. **工业自动化：**
- 适用于工业控制设备中的功率开关、继电器驱动等模块，满足高可靠性和高功率需求。

4. **汽车电子：**
- 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）、LED驱动等模块，适应汽车电子对高耐压和高电流的要求。