产品简介："### 型号应用简介

STL100N10F7-VB 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装形式紧凑，适合空间受限的应用场景，同时具有良好的散热性能。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道设计，适用于需要低导通电阻和高电流承载能力的电路。

- **VDS（漏源电压）**：100V
支持高达 100V 的工作电压，适用于中高电压的电源和功率转换系统。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极电压范围宽，适应多种驱动条件，确保稳定性和可靠性。


- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：11.5mΩ
- VGS=10V 时：9.5mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。



### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
STL100N10F7-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其在电源模块中能够显著降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，该 MOSFET 可以用于驱动 BLDC（无刷直流电机）和步进电机。其快速开关特性和高电流承载能力使其能够高效控制电机，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。