产品简介："### 型号应用简介

STB100N10F7-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高功率密度和高效率的应用场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器等领域。其优异的电气性能和紧凑的 DFN5X6 封装使其成为现代电子设备中不可或缺的功率开关元件。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: STB100N10F7-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **VDS（漏源电压）**: 100V
- **VGS（栅源电压）**: ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**: 2.5V
- **导通电阻（RDS(on)）**:
- VGS=4.5V 时：11.5 mΩ
- VGS=10V 时：9.5 mΩ
- **ID（漏极电流）**: 55A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块示例

1. **电源管理模块**
STB100N10F7-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的开关电源模块。例如，在服务器电源、通信电源和工业电源中，该器件可以作为主开关管，显著降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、家用电器和工业电机控制器，STB100N10F7-VB 能够提供稳定的高电流输出，同时保持较低的发热量。其快速开关特性也有助于提高电机的响应速度和运行效率。