产品简介："### 型号应用简介

STL90N10F7-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFN5X6，适用于高密度 PCB 设计。该器件的主要特点是低 VGS 驱动电压和高效率，适合用于需要高功率密度和高可靠性的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: STL90N10F7-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：11.5 mΩ
- VGS=10V 时：9.5 mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 55A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
STL90N10F7-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器和同步整流电路。其高效的开关特性有助于减少功率损耗，提高整体电源效率。例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源模块中，该器件可以显著提升系统的可靠性和性能。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机和工业电机控制器，STL90N10F7-VB 的高电流能力和低 VGS 驱动电压使其能够有效控制电机的启动、停止和调速。其 SGT 技术还提供了更好的热管理，确保在长时间高负载运行下的稳定性。