产品简介："**型号简介：STP100N10F7-VB**

**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single-N**
**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（阈值电压）：** 2.5V
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：11.5mΩ
- VGS=10V时：9.5mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 55A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）

**产品简介：**
STP100N10F7-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 DFN5X6 封装设计紧凑，适合高密度电路板布局，同时具备优异的散热性能。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于高效率 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源（SMPS），尤其是在需要高电流和低损耗的应用中。

2. **电机驱动模块：**
- 适合用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机驱动电路，能够提供高电流输出并降低功耗。

3. **汽车电子：**
- 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动车辆的动力控制模块，满足高可靠性和高效率的需求。

4. **工业控制：**
- 适用于工业自动化设备中的功率开关和逆变器模块，支持高负载和高频率操作。

5. **消费电子：**
- 可用于大功率充电器、适配器以及便携式设备的电源管理模块，提供高效能和紧凑的解决方案。