产品简介："### 型号应用简介

STH80N10LF7-2AG-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。该器件适用于高功率密度和高效率的应用场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器等领域。其紧凑的 DFN5X6 封装设计使其在空间受限的模块中也能发挥出色的性能。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: STH80N10LF7-2AG-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: N 沟道（Single）
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：11.5 mΩ
- VGS=10V 时：9.5 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: 55A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块举例

1. **电源管理模块**
STH80N10LF7-2AG-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率的开关电源和 DC-DC 转换器模块。例如，在服务器电源、通信基站电源和工业电源中，该器件可以有效降低功耗，提升系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机驱动和家用电器（如洗衣机、空调）中，STH80N10LF7-2AG-VB 的高开关速度和低损耗特性能够显著提升电机控制的响应速度和能效。