产品简介："### 型号应用简介

STB120NF10T4-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: STB120NF10T4-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：11.5mΩ
- VGS=10V 时：9.5mΩ


### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
STB120NF10T4-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源模块。在这些应用中，MOSFET 的低功耗特性可以显著提高电源效率，同时其高耐压能力（100V）确保了系统的可靠性。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机和工业自动化设备，STB120NF10T4-VB 的高电流能力（55A）和快速开关特性使其能够高效驱动电机，同时减少热量产生，延长设备寿命。

3. **电池保护与管理系统**
该 MOSFET 适用于锂电池保护电路和电池管理系统（BMS），其低导通电阻有助于减少电池放电时的能量损耗，而其高耐压能力则确保了电池在过压或短路情况下的安全性。