产品简介："### 型号应用简介

AUIRFR540Z-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率的电源管理和功率开关应用，广泛应用于工业、汽车电子、消费电子等领域。其低 Vth（阈值电压）和优化的 SGT（Shielded Gate Trench）技术使其在高频开关和低功耗应用中表现出色。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: AUIRFR540Z-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: TO252
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 35A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）

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### 应用领域及模块

1. **工业电源模块**
AUIRFR540Z-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于工业电源模块中的 DC-DC 转换器和同步整流电路。其高效的开关性能可以显著降低功耗，提升整体系统效率。

2. **汽车电子**
在汽车电子领域，该器件可用于电机驱动、电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）等模块。其高耐压（100V）和低 Vth 特性使其在 12V 或 24V 汽车系统中表现优异。