产品简介："### 型号应用简介

IPD180N10N3 G-VB 是由 VBsemi 公司生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效率的功率转换和开关应用。其 SGT（Shielded Gate Trench）技术进一步优化了开关性能和热管理，使其在高温和高频环境下表现优异。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：IPD180N10N3 G-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和开关电源模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在降压（Buck）和升压（Boost）转换器中表现出色，能够有效降低功耗并提高整体效率。
- **模块**：适用于服务器电源、通信电源和工业电源模块。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动应用中，IPD180N10N3 G-VB 可用于驱动直流电机、步进电机和 BLDC 电机。其高开关频率和低导通电阻使其在电机控制电路中能够实现快速响应和高效能转换。
- **模块**：适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动模块。