产品简介："### 型号应用简介

**IPD25CN10N G-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **TO252** 封装。该器件具有 **100V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS）范围，适用于多种高功率开关应用。
### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：Single-N（单N沟道）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：26mΩ
- VGS=10V：21mΩ
- **连续漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **IPD25CN10N G-VB** 适用于 **DC-DC 转换器** 和 **AC-DC 电源适配器** 中的开关器件。其低导通电阻和高开关频率特性使其能够在高效能电源转换中减少能量损耗，提升整体效率。例如，在笔记本电脑、服务器电源和通信设备电源模块中，该器件可以用于主开关或同步整流电路。

2. **电机驱动模块**：
- 在 **电机控制** 领域，该 MOSFET 可用于 **BLDC（无刷直流电机）** 和 **步进电机** 的驱动电路。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够有效控制电机的启动、停止和调速，适用于电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）以及工业自动化设备中的电机驱动模块。