产品简介："**型号简介：FDD86102-VB**

**品牌：** VBsemi
**封装：** TO252
**沟道类型：** Single N-Channel
**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（阈值电压）：** 1.8V
- **RDS(ON)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：26mΩ
- VGS=10V时：21mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 35A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench）技术

**产品特点：**
FDD86102-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SGT技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）和高电流承载能力（35A），适用于高效率的功率开关应用。其100V的漏源电压和±20V的栅源电压范围，使其在多种高压和高功率场景中表现出色。TO252封装设计紧凑，便于集成到各种电路板中。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：**
- 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器，能够有效降低功耗并提高转换效率。

2. **电机驱动模块：**
- 可用于电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）和工业电机驱动，提供高效的功率控制和驱动能力。

3. **汽车电子模块：**
- 适用于汽车中的电源管理系统、LED驱动和电机控制，满足汽车电子对高可靠性和高效率的要求。

4. **工业自动化模块：**
- 可用于工业控制系统中的功率开关和驱动电路，支持高电流和高电压的应用场景。