产品简介："### 型号应用简介

**FDD3672-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
该封装具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 设计。

- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）
适用于需要单向电流控制的电路设计。

- **VDS（漏源电压）**：100V
能够承受较高的电压，适合中高压应用场景。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
提供宽范围的栅极驱动电压，适应多种驱动电路设计。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V
低阈值电压使得器件在低电压驱动下也能高效工作。

- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了整体效率。


应用领域及模块示例

1. **电源管理模块**
FDD3672-VB 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器等电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力能够有效降低功率损耗，提升电源效率。例如，在服务器电源、工业电源和消费类电子设备的电源模块中，该器件可以用于主开关或同步整流电路。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，FDD3672-VB 可用于驱动直流电机、步进电机或 BLDC 电机。其高电压和高电流特性使其能够承受电机启动时的峰值电流，同时低导通电阻减少了发热问题。