产品简介："### 型号应用简介

**FDD3672-F085-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于多种高功率和高效率的电子应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。其 SGT（Shielded Gate Trench）技术进一步提升了开关速度和效率，使其在高频开关应用中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：N 沟道
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流（ID）**：35A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：FDD3672-F085-VB 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效电源设计中表现出色，尤其是在需要高功率密度和高效率的场合。
- **模块**：可用于服务器电源、通信电源和工业电源模块。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 适用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和高电压的场合，如电动工具、家用电器和工业电机控制。其快速开关特性有助于提高电机控制的响应速度和效率。
- **模块**：可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和步进电机驱动器。